|
|
|
Array
(
[SESS_AUTH] => Array
(
[POLICY] => Array
(
[SESSION_TIMEOUT] => 24
[SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
[MAX_STORE_NUM] => 10
[STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
[STORE_TIMEOUT] => 525600
[CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
[PASSWORD_LENGTH] => 6
[PASSWORD_UPPERCASE] => N
[PASSWORD_LOWERCASE] => N
[PASSWORD_DIGITS] => N
[PASSWORD_PUNCTUATION] => N
[LOGIN_ATTEMPTS] => 0
[PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
)
)
[SESS_IP] => 3.138.101.95
[SESS_TIME] => 1713442953
[BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
[fixed_session_id] => 39b5b1efa020f1a881b631db61f717fa
[UNIQUE_KEY] => d4ed76060b05dee6775e6aae35017432
[BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
(
[LOGIN] =>
[POLICY_ATTEMPTS] => 0
)
)
2021 год, номер 5
|
В.А. Гайслер1, И.А. Деребезов1, А.В. Гайслер1, Д.В. Дмитриев1, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, М.М. Качанова1, Ю.А. Живодков1, А.В. Латышев1, М.Н. Скворцов2, С.М. Игнатович2, В.И. Вишняков2, Н.Л. Квашнин2, И.С. Месензова2, А.В. Тайченачев2, С.Н. Багаев2, И.Ю. Блинов3, В.Г. Пальчиков3, Ю.С. Самохвалов3, Д.А. Парёхин3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vahvah55@mail.ru
2Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия
skv@laser.nsc.ru
3Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Москва, Россия
blinov@vniiftri.ru
Ключевые слова: лазеры с вертикальным резонатором, рубидий, цезий, миниатюрные квантовые стандарты частоты, когерентное пленение населённостей, девиация Аллана
Страницы: 4-10
Аннотация >>
Представлены результаты разработки лазеров с вертикальным резонатором на основе твёрдых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Лазеры демонстрируют устойчивый одномодовый режим генерации на длинах волн 794,9 нм и 894,6 нм, что открывает перспективы их использования в миниатюрных квантовых стандартах частоты на основе 87Rb и 133Cs.
DOI: 10.15372/AUT20210501 |
|
Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ddmitriev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: InP, As, отжиг, оксид, дифракция
Страницы: 11-17
Аннотация >>
Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучены механизмы трансформации поверхности при отжиге epi-ready подложек InP(001) в потоке молекул мышьяка. Исследовано влияние температуры отжига и потока мышьяка на процессы удаления оксидов с поверхности InP, происходящие в результате термического разложения и химического взаимодействия оксидов с мышьяком.
DOI: 10.15372/AUT20210502 |
|
С.А. Дворецкий1,2, М.Ф. Ступак3, Н.Н. Михайлов1,4, С.Н. Макаров3, А.Г. Елесин3, А.Г. Верхогляд3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, микроучастки, разворот, гетероструктуры, МЛЭ, CdHgTe, CdTe, GaAs
Страницы: 18-28
Аннотация >>
Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры CdxHg1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях CdxHg1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.
DOI: 10.15372/AUT20210503 |
|
Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, экситонное поглощение в квантовых ямах, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 29-37
Аннотация >>
Проанализировано влияние строения квантовых ям и особенностей технологии их изготовления на быстродействие и максимальную глубину модуляции оптических затворов на основе квантовых ям A3B5, предназначенных для синхронизации мод лазеров ближнего ИК-диапазона.
DOI: 10.15372/AUT20210504 |
|
В.А. Швец1,2, Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
basil5353@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, температура роста, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 38-47
Аннотация >>
Рассмотрена проблема in situ контроля температуры при выращивании эпитаксиальных слоёв CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены различные подходы к решению проблемы с использованием спектральной эллипсометрии. Они основаны на температурной зависимости спектров оптических постоянных буферного слоя CdTe и растущего слоя CdHgTe. Представлены результаты экспериментального тестирования этих методик, которые показывают, что точность измерения температуры составляет несколько градусов, а чувствительность достигает долей градуса. На стадии стационарного роста из эллипсометрических спектров удаётся определить изменение не только температуры, но и состава растущего слоя.
DOI: 10.15372/AUT20210505 |
|
В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Н.А. Валишева, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
pvv@isp.nsc.ru
Ключевые слова: детектор одиночных фотонов, лавинный фотодиод, гейгеровский режим, гетероструктура, InP/InGaAs/InP, ВАХ, темновой ток, квантовая эффективность счёта, частота темновых импульсов, коэффициент послепульсаций, молекулярно-лучевая эпитаксия, избирательное легирование
Страницы: 48-57
Аннотация >>
Обсуждаются вопросы разработки и изготовления детектора одиночных фотонов на базе однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД) InP/InGaAs/InP, работающих в гейгеровском режиме на телекоммуникационной длине волны 1550 нм. Приведено описание конструкции ОЛФД, способа получения гетероструктуры InP/InGaAs/InP методом молекулярно-лучевой эпитаксии, изготовления чипа ОЛФД методами планарной технологии, особенностей избирательного легирования цинком p-областей в слое InP, разработанных электронных схем измерения основных параметров ОЛФД. Представлены предварительные результаты измерений параметров, изготовленных ОЛФД.
DOI: 10.15372/AUT20210506 |
|
Д.Е. Уткин1,2, А.В. Царев1,2, Е.Н. Уткин3, А.В. Латышев1,2, А.А. Шкляев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
utkinde@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
utkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: метапокрытия, частицы SiGe на Si, резонансы Ми, антиотражающие свойства, численное моделирование, метод FDTD
Страницы: 58-69
Аннотация >>
Исследованы антиотражающие свойства покрытий из диэлектрических частиц SiGe субволнового размера, выращенных на подложках Si(100) c использованием эффекта несмачиваемости Si слоями SiGe. Средний размер частиц задавался количеством осаждённого Ge и варьировался в диапазоне от 0,2 до 1,4 мкм. Изучаемое возбуждение магнитных и электрических резонансов в диэлектрических частицах SiGe приводило к уменьшению отражения приблизительно на 60 % в зависимости от среднего размера частиц по сравнению с отражением поверхности Si, не покрытой частицами. Распределение частиц по размеру обеспечило получение антиотражающих свойств в широком спектральном диапазоне, в котором частицы меньшего размера создавали более сильный антиотражающий эффект по сравнению с частицами большего размера. Модельные расчёты показали, что для частиц, расположенных на подложке, эффективность возбуждения магнитных и электрических резонансов имеет сильную зависимость от отношения высоты частиц к размеру их основания.
DOI: 10.15372/AUT20210507 |
|
В.С. Русецкий1, В.А. Голяшов1,2, А.В. Миронов3, А.Ю. Дёмин3, О.Е. Терещенко1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vadim19230495@yandex.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
vladimirgolyashov@gmail.com
3ЗАО "Экран ФЭП", Новосибирск, Россия
andreimironov628@gmail.com
Ключевые слова: мультищелочной фотокатод, распределение фотоэлектронов по энергиям, вакуумный фотодиод, солнечный элемент, эффективное отрицательное электронное сродство
Страницы: 70-76
Аннотация >>
Продемонстрирована возможность исследований фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов (МФ) в вакуумных фотодиодах с двумя полупроводниковыми электродами. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции и квантового выхода МФ, впервые получены спектры распределения фотоэлектронов по энергиям в МФ с высоким разрешением. Измерения проводились при освещении МФ монохроматичным светом в диапазоне длин волн 400-950 нм и температурном интервале 90-300 К. На основе полученных данных сделаны выводы о наличии эффективного отрицательного электронного сродства в МФ. Изучены свойства исследуемого вакуумного фотодиода как солнечного элемента.
DOI: 10.15372/AUT20210508 |
|
Р.З. Хафизов, В.В. Старцев, В.Ю. Москвичев
Акционерное общество "Оптико-механическое конструкторское бюро "АСТРОН"", Лыткарино Московской обл., Россия
imagelab@mail.ru
Ключевые слова: инфракрасное излучение, микроболометр, фотоприёмное устройство, оптико-электронные системы, микроэлектромеханические системы, отношение сигнал/шум, эквивалентная шуму разность температур
Страницы: 77-87
Аннотация >>
Рассмотрены теоретические соотношения, оптимизирующие конструкцию микроболометрического элемента матричного детектора и обеспечивающие улучшение его характеристик быстродействия. Сформулированы требования к параметрам элементов и к используемым для их изготовления материалам, которые предоставляют принципиальную возможность минимизации постоянной времени тепловой релаксации болометрического сенсора в целях увеличения кадровой частоты матриц. Представлены результаты их моделирования, позволяющие провести оптимизацию конструкции и её реализацию с использованием современных технологических процессов формирования высокоэффективных микроболометрических элементов с учётом требований конкретных применений.
DOI: 10.15372/AUT20210509 |
|
И.А. Деребезов1,2, А.В. Гайслер1, А.Ю. Миронов1, В.А. Гайслер1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
derebezov@isp.nsc.ru
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, микрорезонаторы, излучатели одиночных фотонов, излучатели фотонных пар
Страницы: 88-92
Аннотация >>
Разработана конструкция и методика изготовления микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и микролинзы, формируемой в процессе селективного окисления градиентного слоя AlxGa1-xAs. Конструкция микрорезонатора обеспечивает высокую внешнюю квантовую эффективность вывода излучения (до 70 %) и высокую эффективность ввода излучения в оптическое волокно. Микрорезонатор может быть использован для создания излучателей одиночных фотонов и излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек.
DOI: 10.15372/AUT20210510 |
|
И.А. Александров1, Т.В. Малин1, Д.Ю. Протасов1, B. Pecz2, К.С. Журавлев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
aleksandrov@isp.nsc.ru
2Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary
pecz@mfa.kfki.hu
Ключевые слова: квантовые ямы, GaN, AlN, фотолюминесценция, просвечивающая электронная микроскопия
Страницы: 93-98
Аннотация >>
Исследована фотолюминесценция структур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведено сравнение расчётной зависимости энергии максимума полосы фотолюминесценции квантовых ям от толщины слоя GaN с экспериментом для различных отношений толщин слоёв GaN и AlN. Толщины слоёв GaN и AlN определялись методом просвечивающей электронной микроскопии. Расчёты энергии максимума полосы фотолюминесценции проводились в 6-зонном kp-приближении с учётом спонтанной и пьезоэлектрической поляризаций. По результатам расчёта при увеличении отношения толщины слоя GaN к толщине слоя AlN наклон зависимости энергии излучения от толщины слоя GaN уменьшается в соответствии с уменьшением напряжённости электрического поля в слое GaN. В квантовых ямах достаточно большой толщины наблюдается увеличение энергии максимума полосы излучения по сравнению с расчётом для нелегированных структур из-за ненамеренного легирования квантовых ям, приводящего к экранированию встроенного электрического поля.
DOI: 10.15372/AUT20210511 |
|
А.В. Марченко1,2, Н.Н. Курусь1, А.А. Колосветов3, А.Г. Милёхин1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
a.marchenko@g.nsu.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный Московской обл.
chernov.ai@mipt.ru
Ключевые слова: дисульфид молибдена MoS, комбинационное рассеяние света (КРС), фотолюминесценция (ФЛ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), усиление КРС на оптических фононах кремния
Страницы: 99-105
Аннотация >>
Проведено комплексное исследование монослоёв дисульфида молибдена MoS2, сформированных на кремниевой подложке, с помощью комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции в сравнении с данными атомно-силовой микроскопии. Построены карты распределения интенсивности комбинационного рассеяния света оптическими фононами и экситонной фотолюминесценции от монослойных плёнок MoS2. Получены зависимости частот основных колебательных мод MoS2 (A1g и E2g) от толщины монослойных покрытий. Обнаружено усиление моды комбинационного рассеяния света оптического фонона кремния бислоем дисульфида молибдена. Выдвинута гипотеза об интерференционном усилении комбинационного рассеяния света на фононных модах кремния.
DOI: 10.15372/AUT20210512 |
|
Б.И. Кидяров1, Е.А. Колосовский1, А.В. Царев1,2, И.Г. Неизвестный1, А.Л. Асеев1,2, А.В. Латышев1,2, А.В. Чаплик1,2, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
kolos@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: акустоэлектроника, акустооптика, пьезоэлектрик, акустическая волна
Страницы: 106-110
Аннотация >>
Посвящается известному учёному-физику, основателю школы акустоэлектроники и акустооптики, члену-корреспонденту РАН Сергею Васильевичу Богданову в связи со столетием со дня рождения (02.08.1921-14.02.2017).
DOI: 10.15372/AUT20210513 |
|
А.И. Козлов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
aikozlov13@mail.ru
Ключевые слова: мозаичная технология, мозаичные фотоприёмники (МФП) сверхвысокой размерности, технологические "слепые зоны", максимальная эффективность преобразования изображений, многослойные структуры с квантовыми ямами (МСКЯ), параметры инфракрасных (ИК) МФП
Страницы: 111-118
Аннотация >>
Фундаментальные исследования основ создания мозаичных фотоприёмников (МФП) сверхвысокой размерности позволили оптимизировать прототип мозаичной технологии с уменьшением «слепых зон». При этом обеспечиваются минимальные области повреждения на краях кристаллов при разделении пластин с достижением минимальных зазоров между кристаллами смежных субмодулей до величины не более 2-3 мкм для разных определяющих материалов. Исследованы параметры инфракрасных МФП в зависимости от длины волны максимума спектральной характеристики фоточувствительности многослойных структур с квантовыми ямами, от шага фоточувствительных элементов и формата субмодулей. В ряде предложенных технологических вариантов прототипов слепые зоны МФП оптически перекрываются и обеспечивается предельная, 100 %-ная эффективность преобразования изображений. Мозаичная технология является одним из фундаментальных принципов достижения сверхвысокой размерности МФП с максимальной эффективностью преобразования изображений.
DOI: 10.15372/AUT20210514 |
|
К.В. Павский1,2, М.Г. Курносов1,2, А.В. Ефимов1,2, К.Е. Крамаренко1,2, Е.Н. Перышкова1,2, А.Ю. Поляков3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
pkv@isp.nsc.ru
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия
mkurnosov@sibguti.ru
3Networking SW & Sys Arch NVIDIA Corporation, Santa Clara, USA
artemp@nvidia.com
Ключевые слова: высокопроизводительные системы, параллельные программы, коллективные операции, синхронизация доступа к памяти, блокировка чтения-записи, MPI, PMIx
Страницы: 119-128
Аннотация >>
Предложены алгоритмы, позволяющие повысить эффективность исполнения параллельных программ на высокопроизводительных вычислительных системах, в частности при решении задач моделирования физических процессов. Разработанные алгоритмы ориентированы на оптимизацию выполнения коллективных операций на многопроцессорных SMP/NUMA-узлах в стандарте MPI. Алгоритмы блокировки чтения-записи повышают эффективность синхронизации доступа к общей памяти относительно алгоритмов, используемых в библиотеке Open PMIx.
DOI: 10.15372/AUT20210515 |
|
