Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.17.23.130
    [SESS_TIME] => 1714895097
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9e5080c84696ecccd16d386c4d76c2b0
    [UNIQUE_KEY] => ca581c1c576fa24073d8c2f157b56da8
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2022 год, номер 5

Высокотемпературный отжиг тонких пленок субоксида кремния, полученных методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой

Е.А. Баранов1, А.О. Замчий1,2, Н.А. Лунев1,2, И.Е. Меркулова1, В.А. Володин2,3, М.Р. Шарафутдинов4, А.А. Шаповалова5
1Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
itpbaranov@gmail.com
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
zamchiy@gmail.com
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
v.volodin@g.nsu.ru
4Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
marat@solid.nsc.ru
5Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
shapovalova@niic.nsc.ru
Ключевые слова: нанокристаллический кремний, нестехиометрический оксид кремния, синтез тонких пленок
Страницы: 33-41

Аннотация

Методом газоструйного осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой синтезированы тонкие пленки аморфного нестехиометрического оксида кремния (а-SiOx:H, 0 < x < 2). Стехиометрический коэффициент пленок а-SiOx:H варьировался в диапазоне 0,47 ÷ 1,63 в зависимости от параметра R, определяемого расходом смеси Ar-SiH4. Высокотемпературный (при температуре 950°С в течение 2 ч) отжиг тонких пленок а-SiOx:H привел к формированию наночастиц кристаллического кремния размером 8,3÷12,3 нм. Показано, что с увеличением параметра R значения степени кристалличности отожженных пленок увеличиваются до 66%. Сделано предположение, что на положение пика нанокристаллического кремния в спектрах комбинационного рассеяния света оказывают влияние механические напряжения. В результате количественной оценки такого напряжения получены значения 1,0÷1,7 ГПа.

DOI: 10.15372/PMTF20220503
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину