Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2021 год, номер 5

МЕХАНИЗМЫ УДАЛЕНИЯ ОКСИДОВ С ПОВЕРХНОСТИ InP ПРИ ПРОГРЕВЕ В ПОТОКЕ МЫШЬЯКА

Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ddmitriev@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: InP, As, отжиг, оксид, дифракция
Страницы: 11-17

Аннотация

Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучены механизмы трансформации поверхности при отжиге epi-ready подложек InP(001) в потоке молекул мышьяка. Исследовано влияние температуры отжига и потока мышьяка на процессы удаления оксидов с поверхности InP, происходящие в результате термического разложения и химического взаимодействия оксидов с мышьяком.

DOI: 10.15372/AUT20210502
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять