ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЕ IN SITU МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЁВ МЛЭ КРТ
"В.А. Швец1,2, Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
basil5353@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия"
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, температура роста, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 38-47
Аннотация
Рассмотрена проблема in situ контроля температуры при выращивании эпитаксиальных слоёв CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены различные подходы к решению проблемы с использованием спектральной эллипсометрии. Они основаны на температурной зависимости спектров оптических постоянных буферного слоя CdTe и растущего слоя CdHgTe. Представлены результаты экспериментального тестирования этих методик, которые показывают, что точность измерения температуры составляет несколько градусов, а чувствительность достигает долей градуса. На стадии стационарного роста из эллипсометрических спектров удаётся определить изменение не только температуры, но и состава растущего слоя.
DOI: 10.15372/AUT20210505
|
