Особенности высокочастотного возбуждения MnBr2-лазера с полупроводниковым источником накачки
П.И. ГЕМБУХ, Д.В. ШИЯНОВ, М.В. ТРИГУБ
Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН, Томск, Россия
gembukh@iao.ru
Ключевые слова: лазеры на парах металлов, высокочастотное возбуждение, ИК-излучение, полупроводниковый источник, усилитель яркости
Страницы: 331-335
Аннотация
Повышение частотно-энергетических характеристик лазеров является важной задачей, связанной как с фундаментальными проблемами, так и с внедрением новых технических решений. Повышение частоты следования импульсов активных сред на парах металлов, в частности атома марганца, необходимо для создания высокоскоростных лазерных мониторов. В работе представлены результаты исследования спектральных характеристик излучения активного элемента на переходах атома марганца при возбуждении высокочастотным полупроводниковым источником, основанным на концепции LTD-генератора. Излучение со средней мощностью 250 мВт, включающее в себя видимую и ИК-компоненты, было зарегистрировано при частоте следования импульсов 75 кГц. Экспериментально установлено, что видимая компонента исчезает на частотах свыше 75 кГц, что ранее не наблюдалось. При частоте следования импульсов 125 кГц средняя мощность излучения составляла 200 мВт. В ИК-области спектра наибольший вклад (> 50%) вносит излучение на длине волны 1291,37 нм. Результаты работы могут быть использованы при визуально-оптической диагностике различных процессов в схемах лазерного монитора.
DOI: 10.15372/AOO20260409 |
